FLOSFIAが開発したコランダム構造Ga2O3は、EV向けパワー半導体材料の到達点 ~ 京都大発ベンチャーがデンソーと次世代半導体を共同開発

 少なくとも、ダイヤモンド構造のワイドバンドギャップ半導体材料、かつ混晶などの作業が簡単に行えるシロモノの特定と低コストな量産手法が確立されるまでは。つまり、

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「プリキュア・ダイヤモンド・エターナル!」

 みらリコが現世に顕現し、二人の愛の共同作業が三次元で実現されるまで、パワー半導体市場における、FLOSFIAが開発したコランダム構造Ga2O3の競争優位は続くだろう。(゚∀゚)アヒャ!

 というのは半分冗談としても、今回、デンソーや三菱重工業が「趣味のいい出資」をしたのは間違いないと思うよ。

EV向け半導体開発へ 京都大発ベンチャー、デンソーと共同

 京都大発の半導体開発ベンチャーであるFLOSFIA(京都市西京区)は4日、デンソーと共同で、電気自動車(EV)などの電動化車両向けに次世代半導体を開発すると発表した。デンソーや三菱重工業などから総額約8億円を調達したことも明らかにした。

 開発するのは、コランダム構造酸化ガリウムと呼ばれる半導体材料。サファイアに似た結晶構造を持ち、電力制御系の半導体素子に用いると、従来のシリコン製素子に比べて電力変換に伴う損失を最大で90%程度、電力変換回路のコストを50%程度それぞれ削減することが期待できるという。

 デンソーは、EVやハイブリッド車向けに、電池からモーター部に流す電流を調整する「パワーコントロールユニット(PCU)」を提供している。FLOSFIAとの協業を通じ、コランダム構造酸化ガリウム半導体を搭載した次世代PCUの製品化を目指す。

 FLOSFIAは2011年、京都大の藤田静雄教授の研究成果を基に創業。これまでにも京都大系のベンチャー投資会社などの出資を受けており、今回の増資で資本調達額は22億6千万円に達した。 

(1月4日 京都新聞)

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